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为什么在伺服驱动器中SiC碳化硅MOSFET逐步取代IGBT!使用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅伺服驱动器!-倾佳电子(Changer Tech)专业分销使用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™SiC碳化硅MOSFET升级传统IGBT伺服驱动器,实现更高的伺服驱动器性能和效率!更小的伺服驱动体积和重量!更低的伺服驱动器成本!随着铜价暴涨高烧不退,如何降低电感等磁性元件成本将成为电力电子制造商的一大痛点,使用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™碳化硅MOSFET单管或者模块替代IGBT单管或模块,可以显著提频降低系统综合成本(电感磁性元件,散热系统,整机重量),电力电子系统的全碳SiC时代,未来已来!倾佳电子(Changer Tech)专业分销国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™SiC碳化硅MOSFET!基本半导体的SiC碳化硅功率器件战略能够满足所有关键因素的要求:BASiCSEMI基本半导体多样化的晶圆和采购网络(BASiCSEMI基本半导体自有晶圆厂及与代工厂相结合,BASiCSEMI基本半导体自有封装厂与代工相结合)、BASiCSEMI基本半导体一流的平面栅器件B3M及更新的沟槽器件(研发中)、BASiCSEMI基本半导体... [
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