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为什么在伺服驱动器中SiC碳化硅MOSFET逐步取代IGBT！使用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™SiC碳化硅MOSFET打造全SiC碳化硅伺服驱动器！-倾佳电子（Changer Tech）专业分销使用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™SiC碳化硅MOSFET升级传统IGBT伺服驱动器，实现更高的伺服驱动器性能和效率！更小的伺服驱动体积和重量！更低的伺服驱动器成本！随着铜价暴涨高烧不退，如何降低电感等磁性元件成本将成为电力电子制造商的一大痛点，使用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™碳化硅MOSFET单管或者模块替代IGBT单管或模块，可以显著提频降低系统综合成本（电感磁性元件，散热系统，整机重量），电力电子系统的全碳SiC时代，未来已来！倾佳电子（Changer Tech）专业分销国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本半导体™SiC碳化硅MOSFET！基本半导体的SiC碳化硅功率器件战略能够满足所有关键因素的要求：BASiCSEMI基本半导体多样化的晶圆和采购网络（BASiCSEMI基本半导体自有晶圆厂及与代工厂相结合，BASiCSEMI基本半导体自有封装厂与代工相结合）、BASiCSEMI基本半导体一流的平面栅器件B3M及更新的沟槽器件（研发中）、BASiCSEMI基本半导体... [详细介绍]