储能变流器PCS碳化硅SiC模块全面革掉IGBT模块的命

为什么在储能变流器PCS应用中碳化硅SiC模块全面革掉IGBT模块的命！

储能变流器（Power Conversion System）英文简称PCS，可控制蓄电池的充电和放电过程，进行交直流的变换，在无电网情况下可以直接为交流负荷供电。 储能变流器PCS由DC/AC 双向变流器、控制单元等构成。 根据功率指令的符号及大小控制变流器对电池进行充电或放电，实现对电网有功功率及无功功率的调节。PCS储能变流器，全称Power Conversion System，是储能系统中的关键设备，用于实现储能电池与电网之间的能量转换和双向流动。它能够将直流电转换为交流电或将交流电转换为直流电，以满足电网对储能系统的充放电需求。PCS储能变流器在储能系统中扮演着“桥梁”的角色，连接着储能电池和电网，确保储能系统的高效、稳定运行。

PCS储能变流器的应用场景

1.能量时移：在用户侧储能系统中，PCS储能变流器可以用于能量时移，将白天时段内光伏多余的发电量储存起来，在晚上或者阴雨天气无光伏发电量的时段内再通过PCS释放出来，可以实现光伏发电的最大化自发自用。

2.峰谷套利：在用户侧储能系统中，尤其是执行分时电价的工商业园区，PCS储能变流器可用于进行峰谷套利，通过在电价低廉的时间段进行充电，在电价高昂的时间段进行放电，实现低充高放进行套利，达到节省园区整体用电成本的目的。

3.动态扩容：在电力容量受限的场景，类似电动汽车充电站场景，通过PCS储能变流器配置储能电池来进行动态扩容，充电高峰时候，PCS储能变流器进行放电，提供额外的功率支持；充电低峰时，PCS储能变流器进行充电，储存低价的电能进行备用，既能实现峰谷套利，又能给充电场站进行动态扩容。

4. 微电网系统：在微电网系统中，PCS储能变流器能够实现分布式电源与储能系统的协调控制，提高微电网的稳定性和供电质量。通过PCS储能变流器的精确功率控制和智能能量管理，可以实现微电网系统中电源和负荷的平衡和优化调度。

5. 电力系统调频调峰：在电力系统中，PCS储能变流器可以用于调频调峰，提高电网的稳定性和可靠性。当电网负荷高峰时，PCS储能变流器可以释放储能电池中的能量，为电网提供额外的功率支持；当电网负荷低谷时，PCS储能变流器则可以吸收电网中的多余能量，为储能电池充电，以备后用。

PCS储能变流器的发展趋势

目前在大型储能电站中普遍采用集中式PCS,一台大功率PCS同时控制多簇并联的电池，电池簇间的不均衡问题得不到有效的处理；而组串式PCS，一台中小功率的PCS只控制一簇电池，实现一簇一管理，有效规避电池簇间的木桶效应，提升系统寿命，提高全寿命周期放电容量，组串式PCS规模化应用趋势已见雏形，在工商业储能一体柜中组串式PCS已成为行业主流方案，未来在大型储能电站中也将实现大规模化应用。

随着新能源和智能电网的快速发展以及储能技术的不断进步，PCS储能变流器将面临更大的发展机遇和挑战。未来，PCS储能变流器将朝着更高效、更智能、更灵活的方向发展。

IGBT模块在十几 kHz开关频率中就会表现出严重的局限性，由于IGBT模块尾电流导致损耗较大。使用 SiC-MOSFET模块，开关频率增加，从而减小了滤波器体积。SiC 模块允许在数十和数百 kHz 的频率下运行，开关损耗相对较低，从而显著减少了滤波器和散热热系统的体积。这些技术进步使变流器总体积大幅度减少，效率提高，从而能够在较低温度下运行并可能延长组件的使用寿命。

为了满足PCS储能变流器更高效的需求，使用基本公司碳化硅SiC模块全面取代IGBT模块，可以提升系统效率1%，有效提升客户在PCS生命周期里的收益。SiC模块全面取代IGBT模块，从而将PCS储能变流器开关损耗降低高达 70% 至 80%，在储能变流器PCS应用中碳化硅SiC模块全面革掉IGBT模块的命！

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国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™2000V系列SiC碳化硅MOSFET适用于1500V光储系统，1500V系统大组串SiC光伏逆变器，1500V系统储能变流器PCS，1500V系统固态断路器，固态变压器等。

大组串IGBT光伏逆变器MPPT传统上使用飞跨电容IGBT方案，控制复杂，频率低，采用国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™2000V系列SiC碳化硅MOSFET进行两电平改造，控制简单可靠，频率提升，电感成本降低，MPPT部分提升效率，降低成本。

IGBT芯片技术不断发展，但是从一代芯片到下一代芯片获得的改进幅度越来越小。这表明IGBT每一代新芯片都越来越接近材料本身的物理极限。SiC MOSFET宽禁带半导体提供了实现半导体总功率损耗的显著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低开关损耗，从而提高开关频率。进一步的，可以优化滤波器组件，相应的损耗会下降，从而全面减少系统损耗。通过采用低电感SiC MOSFET功率模块，与同样封装的Si IGBT模块相比，功率损耗可以降低约70%左右，可以将开关频率提5倍（实现显著的滤波器优化），同时保持最高结温低于最大规定值。

未来随着设备和工艺能力的推进，更小的元胞尺寸、更低的比导通电阻、更低的开关损耗、更好的栅氧保护是SiC碳化硅MOSFET技术的主要发展方向，体现在应用端上则是更好的性能和更高的可靠性。

为此，BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™研发推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET，该系列产品进一步优化钝化层，提升可靠性，相比上一代产品拥有更低比导通电阻、器件开关损耗，以及更高可靠性等优越性能，可助力光伏储能、新能源汽车、直流快充、工业电源、通信电源、伺服驱动、APF/SVG、热泵驱动、工业变频器、逆变焊机、四象限工业变频器等行业实现更为出色的能源效率和应用可靠性。

为满足光伏储能领域高电压、大功率的应用需求，BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™基于第二代SiC MOSFET技术平台开发推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高压系列碳化硅MOSFET，产品具有低导通电阻、低导通损耗、低开关损耗、支持更高开关频率运行等特点。

针对新能源汽车的应用需求，BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™研发推出符合AEC-Q101认证和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化硅MOSFET，可主要应用在车载充电机及汽车空调压缩机驱动中。

B3M040120Z是BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™基于第三代碳化硅MOSFET技术平台开发的最新产品，该系列产品进一步优化钝化层，提升可靠性，相对于上一代产品在比导通电阻、开关损耗以及可靠性方面有更进一步提升。

BMF240R12E2G3是BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™基于PcoreTM2 E2B封装的1200V 5.5mΩ工业级全碳化硅半桥功率模块，产品采用集成的NTC温度传感器、Press-Fit压接技术以及高封装可靠性的氮化硅AMB陶瓷基板，在导通电阻、开关损耗、抗误导通、抗双极性退化等方面表现出色。

B2M040120T和B2M080120T是BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™基于第二代碳化硅MOSFET技术开发的顶部散热内绝缘的塑封半桥模块，主要应用于OBC、空调压缩机和工业电源中。

BASiC™国产SiC碳化硅MOSFET功率器件供应商-基本公司™推出可支持米勒钳位的双通道隔离驱动芯片BTD25350系列，此驱动芯片专为碳化硅MOSFET门极驱动设计，可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的误开通，还可用于驱动MOSFET、IGBT等功率器件。

为了保持电力电子系统竞争优势，同时也为了使最终用户获得经济效益，一定程度的效率和紧凑性成为每一种电力电子应用功率转换应用的优势所在。随着IGBT技术到达发展瓶颈，加上SiC MOSFET绝对成本持续下降，使用SiC MOSFET替代升级IGBT已经成为各类型电力电子应用的主流趋势。

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